Транзистор MOSFET IRF540N

150 тг

7 в наличии

Артикул: 10319 Категории: ,

Описание

Транзистор MOSFET IRF540N предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры. MOSFET — Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor — МОП (Металл-Оксид-Полупроводник) полевой транзистор.Является аналогом КП746АСхема IRF740
Datasheet MOSFET IRF540N

Характеристики

Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси 100 В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. 30 А
Максимальное напряжение затвор-исток UЗИ макс. (Ugs) 30 В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Rds) 77 Ом
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс. 150 Вт
Крутизна характеристики 87 S
Пороговое напряжение на затворе 4
Корпус TO-220

Детали

Вес 1 г

Обзоры

Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на “Транзистор MOSFET IRF540N”

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *