SMD транзисторы 2N5551 – биполярные транзисторы структуры – n-p-n.

Корпус: SOT-23
Маркировка: G1
Комплементарная пара: транзистор 2N5401.

20 тг
61 в наличии
Корпус: SOT-23
Маркировка: G1
Комплементарная пара: транзистор 2N5401.
Структура | n-p-n |
---|---|
Максимальная рассеиваемая мощность | 0.2 Вт |
Максимально допустимое напряжение коллектор-база | 180 В |
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер | 160 В |
Максимально допустимое напряжение эмиттер-база | 5 В |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.6 А |
Предельная температура PN-перехода | 175 °C |
Граничная частота коэффициента передачи тока | 100 МГц |
Статический коэффициент передачи тока (hfe) | 80 |
Корпус | SOT-23 |
Вес | 1 г |
---|