Биполярный транзистор с n-p-n переходом в корпусе TO-3.
Характеристики
| Структура | n-p-n |
|---|---|
| Напряжение коллектор-эмиттер | не более 90 В |
| Напряжение коллектор-база | не более 100 В |
| Напряжение эмиттер-база | не более 4 В |
| Ток коллектора | не более 30 А |
| Рассеиваемая мощность коллектора | не более 200 Вт |
| Коэффициент усиления транзистора по току (hfe) | от 25 до 100 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока | 2 МГц |
| Корпус | TO-3 |
| Вес | 2 г |
|---|
