Транзистор MOSFET IRF530N (n-канал)

220 тг

Нет в наличии

Уведомить о поступлении
Артикул: 1012006 Категория:
Транзистор MOSFET IRF530N предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры. MOSFET — Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor — МОП (Металл-Оксид-Полупроводник) полевой транзистор.

Схема IRF530N


Документация: MOSFET IRF530N (PDF)

Характеристики

Структура n-канал
Напряжение пробоя сток-исток 100 В
Максимальное напряжение затвора 20 В
Сопротивление в открытом состоянии 90 мОм
Ток стока 17 А
Заряд затвора 24.7 нКл
Рассеиваемая мощность 79 Вт
Корпус TO-220AB
Вес 1 г

Возможно Вас также заинтересует…