Транзистор MOSFET IRF640N (n-канал)

280 тг

89 в наличии

Артикул: 1012009 Категория:
Транзистор IRF640N — n-канальный, МОП (MOSFET). Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочастотных импульсных источниках питания, в преобразователях и инверторах управления скоростью электродвигателей, высокочастотных и ультразвуковых генераторах, звуковых усилителях и в других радиоэлектронных устройствах общего назначения.

Схема IRF640N


Документация: MOSFET IRF640N (PDF)

Характеристики

Структура n-канал
Напряжение пробоя сток-исток 200 В
Максимальное напряжение затвора 20 В
Сопротивление в открытом состоянии 150 мОм
Ток стока 18 А
Заряд затвора 44.7 нКл
Рассеиваемая мощность 150 Вт
Корпус TO-220AB
Вес 1 г

Возможно Вас также заинтересует…