Транзистор MOSFET IRF540NS в корпусе TO-263 предназначен для поверхностного монтажа. MOSFET — Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor — МОП (Металл-Оксид-Полупроводник) полевой транзистор.
Характеристики
| Структура | n-канал |
|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток Uси | 100 В |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. | 33 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 140 Вт |
| Максимальное напряжение затвор-исток UЗИ макс. (Ugs) | 30 В |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 В |
| Тип корпуса | D2PAK |
| Вес | 1 г |
|---|
