Транзистор 30F123 (IGBT)

200 тг

1 в наличии

Артикул: 1011703 Категория:
IGBT транзистор 30F123 — мощный (300 В, 200 А), n-канальный, в корпусе TO-220SIS.

Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

Распиновка 30F123

Характеристики

Структура n-канал
Максимальное напряжение 300 В
Максимальный ток коллектора 200 А
Максимальная мощность 390 Вт
Рабочая температура -50…+150 °C
Корпус TO-220SIS
Вес 5 г