IGBT транзистор H30R1602 (IHW30N160R2) — мощный (1600 В, 30 А), n-канальный, в корпусе TO-247.
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
